إلكترونيات الجيل القادم من كربيد السيليكون

يحتل كربيد السيليكون (SiC) صدارة الجيل الجديد من الإلكترونيات ، مما أحدث ثورة في التطبيقات الإلكترونية المختلفة.

إرسال التحقيق

الوصف

وصف

توفر الأجهزة الإلكترونية القائمة على SiC أداءً فائقًا وقدرات فريدة تتغلب على قيود الإلكترونيات التقليدية القائمة على السيليكون.
إلكترونيات الجيل القادم من كربيد السيليكون. تتيح فجوة النطاق العريضة وقوة المجال الكهربائي عالية الانهيار تطوير أجهزة إلكترونية عالية الطاقة وعالية الجهد مع كفاءة معززة. يمكن أن تعمل إلكترونيات الطاقة القائمة على SiC في درجات حرارة أعلى ، والتعامل مع الفولتية العالية ، وإظهار سرعات تحويل أسرع مقارنة بأجهزة السيليكون.

تخصيص

ملكية	قيمة
صيغة كيميائية	SiC
معامل التمدد الحراري (CTE)	4 - 0-6. 0 × 10⁻⁶ / درجة
أقصى درجة حرارة للتشغيل	1 ، 600-2 ، 800 درجة (2 ، 912-5 ، 072 درجة فهرنهايت)
معامل يونج	370-700 GPa
نسبة بواسون	0.16-0.22
ثابت العزل الكهربائي	9.7-10.7
طاقة فجوة الحزمة	2 - 2-3. 3 إلكترون فولت

Next Generation Electronics Silicon Carbide

الجيل القادم من إلكترونيات السيليكون: تسمح فجوة النطاق العريضة أيضًا للأجهزة القائمة على SiC بالعمل في بيئات قاسية قد تكون صعبة على أجهزة السيليكون. يمكن أن تتحمل إلكترونيات SiC درجات الحرارة العالية والإشعاع والتشغيل عالي التردد ، مما يجعلها مناسبة لتطبيقات الطيران والدفاع والموثوقية العالية.

يمهد SiC الطريق للتقدم في السيارات الكهربائية وأنظمة الطاقة المتجددة والبنية التحتية للشبكة. تعمل الأجهزة القائمة على SiC على تمكين تحويل الطاقة بشكل أكثر كفاءة ، وتقليل فقد الطاقة ، وتحسين إدارة الطاقة ، مما يساهم في تطوير تقنيات مستدامة وموفرة للطاقة.

التعليمات

س: ما هي مميزاتك؟
ج: نحن مصنع ، ولدينا فرق الإنتاج والتجهيز والمبيعات المهنية. يمكن ضمان الجودة لدينا خبرة غنية في مجال السبائك الحديدية.

س: ما هي طاقتك الإنتاجية وتاريخ التسليم؟
ج: 3000MT / شهر وشحنها في 20 يومًا بعد الدفع.

س: هل السعر قابل للتفاوض؟
ج: نعم ، لا تتردد في الاتصال بنا في أي وقت إذا كان لديك أي سؤال. وبالنسبة للعملاء الذين يرغبون في توسيع السوق ، سنبذل قصارى جهدنا لدعمهم.